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    > IGBT驱动 > 文章正文

    IGBT并联技术一-IGBT均流问题

     IGBT并联均流分类

    IGBT并联均流

    • 影响静态均流的因素

    1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量,因此需要尽量对称;
    2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异,因此尽量采取同一批次的产品。
    3、IGBT?樗Φ奈露炔钜,设计机械结构及风道时需要考虑;
    4、IGBT?樗Φ拇懦〔钜;
    5、栅极电压Vge的差异。

    IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异

    • 影响动态均流的因素

    1、IGBT?榈目偶鞯缪筕GEth的差异,VGEth越高,IGBT开通时刻越晚,不同?榛嵊胁钜;
    2、每个并联的IGBT?榈闹绷髂赶咴由⒌绺蠰的差异;
    3、门极电压Vge的差异;
    4、门极回路中的杂散电感量的差异;
    5、IGBT?樗ξ露鹊牟钜;
    6、IGBT?樗Φ拇懦〉牟钜。

    IGBT?榈目偶鞯缪筕GEth的差异

    • IGBT芯片温度对均流的影响

    IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大:

    1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性,使温度高的芯片的Vcesat更高,会分得较少的电流,因此形成了一个负反馈,使静态均流趋于收敛;
    2、根据我们的经验,我们发现,芯片温度变高后,动态均流的性能也会变好;例如在测试动态均流时,我们会使用双脉冲测试方法,但这时芯片是处于冷态的,当把机器跑起来后,动态均流会改善。

    • IGBT芯片所处的磁场对均流的影响

    IGBT?楦浇绻星看懦,则?榈木骰崾艿接跋。

    1、如果两个IGBT?椴⒘也⒘邪沧,如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT?槎独肓硗庖桓,则均流性能就会出问题;
    2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场,对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应;

    因此,在结构设计时,需要注意交流排出线的走线形式,以免发生磁场的干涉现象。

     

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